Электронная информация: 10 апреля 2012 года в Зоне освоения новых технологий и производства был утвержден самый большой инвестиционный проект в области электронной информации со времени претворения в жизнь политики реформ и открытости – проект чипа компании ?Самсунг? с объемом капиталовложений первой очереди 7 млрд. долларов. Успешное привлечение проекта микросхемы памяти имеет огромную стимулирующую роль для регулирования производственной структуры провинции Шэньси, повышения внешней экономической открытости, восполнения промышленных пробелов и стимулирования развития индустриализации нового типа города Сиань. Ожидается, что в будущем годовой доход составит 66 млрд. юаней, более 160 компаний комплектования обоснуются в Зоне, что в свою очередь значительно увеличить влияние и конкурентоспособность развития полупроводниковой индустрии Сианя и даже провинции Шэньси.
Солнечная энергия и LED: база по изучению полупроводникового освещения американской компании GE и корпорации электронной информации провинции Шэньси, база по производству солнечной энергии провинции Шэньси, самый крупный на западе Китая центр по изучению, разработке и производству LED-освещения, проект по производству кремниевых пластин для солнечных батарей мощностью 500 MW. В настоящее время в Зоне освоения высоких технологий обосновались более 80 предприятий, занятые в области солнечной энергии, прикладных материалов, сформирована относительно совершенная производственная цепь солнечных батарей и полупроводникового освещения. К 2015 году фактический эксплуатационный доход солнечной энергии в Зоне освоения высоких технологий и производства Сианя составит 100 млрд. юаней, появятся три и более крупных предприятия, которые будут иметь большое влияние в этой сфере. Фактический доход индустрии полупроводникового освещения достигнет 15 млрд. юаней, будет 5-10 компаний с ключевыми технологиями с объемом производства в более 1 млрд. юаней.